Japanische Medien berichten, dass Toshiba und SanDisk gemeinsam in ein neues Werk investieren wollen, in welchem die nächste Generation von NAND Flash Speichermodulen produziert wird.
Mit der weiterhin steigenden Nachfrage nach Smartphones und Tablets nimmt auch der Bedarf an entsprechenden Speichermedien zu, welche in diese Geräte verbaut oder von den Konsumenten verwendet werden.
Um dieser Nachfrage auch längerfristig nachzukommen, haben Toshiba und SanDisk den Bau eines gemeinsamen Werkes in Yokkaichi, rund 300 Km westlich von Tokio, beschlossen. Die Investitionen von 400 Milliarden Yen (rund 3,8 Mia. CHF) sollen von beiden Firmen zu gleichen Teilen getragen werden. Das Werk soll 2014 fertiggestellt sein und die monatliche Produktionskapazität von derzeit 450’000 Wafern mit 300 mm Durchmesser um rund 20% steigern. Im neuen Werk soll eine neue Generation von NAND-Flash Speichermodulen mit einer höheren Speicherdichte (16-17 Nanometers gegenüber aktuell 19 Nanometers) produziert werden.
Quelle: PEN
